二极管正向压降随温度变化

二极管正向压降随温度升高而减小。

二极管的正向压降（即正向导通时的电压降）会随着温度的升高而减小。这是由于半导体材料在温度升高时，其载流子浓度增加，导致电导率提高。在二极管中，正向导通时，电子和空穴对的形成和复合过程受到影响，随着温度的上升，这些载流子对电流的贡献增加，从而降低了所需的正向电压。

具体来说，对于硅二极管，其正向压降大约随温度每升高1摄氏度而下降约2.1毫伏（mV）。对于锗二极管，这个数值会更高，大约是每升高1摄氏度下降约2.7毫伏。这种现象对于电路设计和稳定性分析具有重要意义，因为温度变化可能导致电路性能的不稳定。

在设计电路时，需要考虑二极管正向压降随温度变化的特性，以确保电路在不同温度条件下的正确运行。例如，在某些电路中，可能会使用稳压二极管来提供稳定的电压输出，但由于其正向压降随温度变化，因此需要通过其他电路元件或设计来补偿这种变化，以确保电路的可靠性。