mos管怎么判断好坏

通过测量MOS管的漏源电流、栅源电压以及阈值电压来判断其好坏。

1. 外观检查：首先，检查MOS管的外观是否有明显的损坏、裂纹或者烧毁痕迹。

2. 测量漏源电流（Idss）：将MOS管从电路中取出，使用万用表的二极管测试功能，测量漏源极之间的电流（Idss）。理想情况下，MOS管在漏源极之间应有一个较大的电流值。如果电流值过小或为零，可能说明MOS管的内部结构存在问题。

3. 测量栅源电压（Vgs）：在栅极和源极之间施加一个电压，理想情况下，MOS管应该有一个阈值电压（Vth），当栅源电压达到这个阈值时，漏源电流开始显著增加。如果MOS管的阈值电压远高于正常值，可能表示MOS管已经损坏。

4. 测量阈值电压（Vth）：通过调整栅源电压，观察漏源电流的变化，可以确定MOS管的阈值电压。阈值电压应与数据手册上的标称值相符。

5. 测试MOS管的开关特性：在适当的电路中测试MOS管的开关特性，确保其在开启和关闭状态下都能正常工作。

6. 比较测试结果：将测试结果与MOS管的数据手册进行比较，如果所有参数都在正常范围内，可以认为MOS管是好的。

如果MOS管在上述测试中表现异常，可能存在以下问题：

击穿损坏：MOS管的漏源极或栅极可能因为过电压而损坏。

短路：MOS管内部可能存在短路现象。

漏电流过大：MOS管的漏源极和源极之间可能有较大的漏电流，这通常表明MOS管已经损坏。

综上所述，通过一系列的电气测试，可以较为准确地判断MOS管的好坏。